产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 110 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
商标名: STripFET
系列: STP110N8F6
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 48 ns
高度: 15.75 mm
长度: 10.4 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 61 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 162 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
宽度: 4.6 mm
单位重量: 2 g
