产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 450 V
集电极—基极电压 VCBO: -
发射极 - 基极电压 VEBO: 12 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
最大直流电集电极电流: 4 A
Pd-功率耗散: 70 W
增益带宽产品fT: -
最小工作温度: -
最大工作温度: + 150 C
系列: BUL1102E
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流: 4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V
高度: 15.75 mm
长度: 10.4 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
1000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 4.6 mm
单位重量: 6 g
